近日，纳芯微全新推出CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET ——NPM12023A系列新产品，优异的短路过流能力与雪崩过压能力、更强的机械压力耐受能力，可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。

  纳芯微全新CSP封装MOSFET系列新产品，采用自有专利芯片结构设计，综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺，拥有超低导通阻抗及高ESD (2kV) 保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求，同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题，为客户提供更安全、更可靠的产品，简化客户的设计。

  智能手机、平板电脑等便携式锂电设备变得比以前更轻薄，功能更强大，同时对设备的充放电功率要求也慢慢变得高：从最初的3-5W，到现在超过100W的充放电功率，使人们在享受更便捷的生活的同时，提高了充电效率，减少了电量焦虑的困扰。充放电功率的逐步的提升，对用于锂电池保护的MOSFET的性能提出了更高的挑战：如何在降低内阻的同时，兼顾机械应力及雪崩能量等要求，成为聚焦的重点。

  传统CSP封装结构为降低衬底电阻，采用了芯片厚度减薄的方法，以此来降低了该封装结构的机械强度，随之而来的，在生产组装过程中，可能会造成芯片翘曲变形甚者产生裂纹，因此导致应用端不良等问题。

  纳芯微全新CSP封装系列新产品在设计之初就在产品结构上做了调整，使导通电流平行于芯片表面，缩短电流路径，以此来降低导通电阻，也就从根源上解决了CSP封装MOSFET的机械强度问题（耐受机械压力60N），更高的机械强度，能够在一定程度上帮助芯片在兼顾轻薄化、小型化的基础上，最大限度上降低使用的过程中的变形、裂片等问题，保证了产品的可靠性和安全性。

  作为锂电池保护电路中的关键器件，CSP封装MOSFET的短路过流能力和雪崩过压能力也是衡量该芯片的重要参数指标。相比市场上别的产品，纳芯微该系列新产品具备非常好的抗短路和雪崩的能力：短路电流测试达到280A，雪崩能力测试30A(225mJ)。

  纳芯微电子（简称纳芯微，科创板股票代码688052）是高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司。自2013年成立以来，公司聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向，为汽车、工业、信息通讯及消费电子等领域提供丰富的半导体产品及解决方案。

  纳芯微以『“感知”“驱动”未来，共建绿色、智能、相互连通的“芯”世界』为使命，致力于为数字世界和现实世界的连接提供芯片级解决方案。

  A 股并购重组“加速度”：393家企业有望适用简易程序 “A吃A”难度或加大

  全球可持续交通高峰论坛召开 企业称对无人驾驶在城市货运场景中的大规模应用充满信心

  中信建投陈果：当前是中国资产信心重估行情，不开展则已、一展开就是有相当级别

  中信建投陈果：当前是中国资产信心重估行情，不开展则已、一展开就是有相当级别